现在，赶在03年10月前，要胜ipod半子。赶在iphone问世前，要快时代半步！

没有硝烟的一枪，悄悄地在永宁“嘣”地响起！

……

那一头，刘汉豪是因为项目进行到了关键时间而按捺不住地加班，终于出了结果。

这一头，倪光北和林耀东却被顾松的设想弄得欲仙欲死。

《关于tsv技术运用在存储芯片封装工艺上的可能性》。

顾松开宗明义地说：“tsv技术如果能运用在存储芯片封装工艺上，对存储芯片领域带来的是质的突破。我们只需要先在我们可以掌握的制程工艺下完成这一套工艺，它的可能性就能得到验证。在更先进的制程工艺下，无非是具体流程的改进和突破。”

言下之意，哪怕达不到100纳米以下的工艺水平，先在一微米级别的工艺下，是否能验证这种工艺？

顾松在这份材料了，总结了他自己和林耀东搜集出来的资料，从其中一些思路里，提炼出了这个方案。

而且，他也给出了一些具体需要攻破的点。

倪光北心痒痒的是，确实，如果按照顾松的阐述，只要在这几个具体的点上有了解决的方案，就能通往最终的结局：不受限于制程工艺，弯道超车，可以制备出容量领先的存储芯片。

至于其中因为立体结构带来的算法要求，恰好，之前u盘控制芯片研究时，其中的一些算法结晶提供了基础，有些思路是相通的。

燧石研究院的u盘控制芯片之所以能达到世界一流水平，就是因为其中的一些算法思路，不同于以往的常规思路。

而林耀东，则被这种大胆的想法拓宽了思路。

之前，他只想着怎么从存储芯片的逻辑结构上去改进，提升存储芯片的可能性。

没想到，顾松却绕过了这个核心的点，转而从封装工艺上考虑。

具体的封装工艺他不懂，但这个思路却提醒了他，存储芯片的结构，有没有从2d进化到3d的可能？

没道理存储单元也只能是二维结构不是吗？